RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3615
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link