RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3615
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link