RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
92
Wokół strony -207% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2834
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link