RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4008
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link