RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
65
Por volta de -141% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
17.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
4008
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link