RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3143
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link