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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
65
Intorno -124% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
29
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3143
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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