RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
65
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3238
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link