RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3705
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Сравнения RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link