RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
65
Около -160% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2686
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link