RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link