RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2646
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link