RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2742
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link