RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2742
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link