RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2561
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link