RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3657
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link