RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3657
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link