RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3663
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF186D.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link