RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3663
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Mushkin 996902 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link