RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link