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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,592.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
3,580.8
18.9
写入速度,GB/s
1,592.0
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
572
3466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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