RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
65
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
12.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3126
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link