RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3707
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link