RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3683
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link