RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
65
Около -160% меньшая задержка
Выше скорость записи
19.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
21.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link