RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
4129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link