RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3824
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link