RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
65
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
15.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3824
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KTC2G-UDIMM 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link