RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16.4
    Среднее значение в тестах
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 65
    Около -110% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    10.5 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 16.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 10.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 3039

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
модули RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
модули RAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
модули RAM
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
модули RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
модули RAM