RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link