RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
65
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link