RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
65
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link