RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
65
Около -225% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3395
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link