RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3149
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link