RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
86
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
86
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
12.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1220
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link