RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
66
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
66
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
1699
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link