RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2852
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link