RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link