RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link