RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link