Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Puntuación global
star star star star star
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 18
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 65
    En -141% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.1 left arrow 1,592.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 5300
    En 4.02 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    65 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,580.8 left arrow 18.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,592.0 left arrow 15.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    572 left arrow 3711
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones