RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2298
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link