RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
67
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
67
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link