RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston 9905625-066.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2882
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link