RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
54
Около -184% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
19
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
19.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
18.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3543
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link