RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston 9905701-017.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link