RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
65
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
43
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2571
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link