RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
65
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2571
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link