RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.2
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
9.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2017
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link