RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2288
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link