RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
65
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3020
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link