RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
65
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link