RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
65
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link