RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2014
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link