RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2588
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link